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重归新加坡1995第407章 三大战役与拯救熊猫EDA行动(1/3)

文/咸泥螺
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李晓凡笑道:“那是我跟两位叔叔他们开个玩笑,我的所有财富是靠自己去赚来的……”

因为李晓凡当下是自己的老板,杨飞燕闻言后没有出声,内心却是有点纳闷,这李晓凡平日感觉都很靠谱,但是与两位叔叔的对话怎么那么不靠谱,尽是忽悠呢?

……

下午抵达上海后,李晓凡向倪院士汇报了一下这次美国之行与ti德州仪器公司张汝京博士会面等情况。

“李董,您的这个建议很好,我也确实很想找机会去美国考察一下他们ti那些大公司当下的集成电路芯片发展水平,也很想与这位张博士当面聊聊,如果他有意向来大陆创建一个类似于台积电的这样的代工厂,那对我们国产芯片行业而言真是一件天大的好事!”

听完李晓凡的汇报后,倪院士很兴奋,“那我这就向计算机所起草申请申请因公出国考察调研报告!”

“太好了,倪院士,这次出国考察的费用可以全部由联海微电子设计中心或者我们东海投资公司来承担,不需要中科院那里出费用,给国家省点宝贵的外汇!”

聊完美国之行与出国考察等事项后,李晓凡问道:

“倪院士,我想向您请教一下,当下我们国内的集成电路芯片水平与美国等西方国家的差距在哪里?”

两年前的1994年,倪光南被遴选为中国工程院首批院士,隶属于信息与电子工程学部。他曾经赴加拿大国家研究院做过访问研究员,是国内首屈一指的计算机专家,对中国计算机产业的发展历程非常了解。

提到这个话题,倪院士如数家珍,他开口解释道:

“1958年张汝京博士的上司杰克·基尔比在德州仪器公司研制出了世界上第一块集成电路。第二年1959年7月,美国仙童公司突破了集成电路的平面制作工艺,为大规模工业量产奠定了基础。这个时候,大洋彼岸的硅谷开始显露雏形,仙童、英特尔、amd等一批未来的芯片巨头公司相继在50-60那个年代成立了……”

“在这个时间段,与美国对应的是,我们内地在1960年也成立了以中科院半导体所为代表的大批研究机构,并在全国建设数十个电子厂,初步搭建了新中国半导体工业的研发+生产体系。这套体系最初能够紧追美国等西方国家,得益于一批海外留学回到新中国的半导体人才,如黄昆、谢希德、王守武等前辈大师。在他们的带领下,蹒跚起步的中国内地半导体行业做出了两个巨大贡献:一是保障了两弹一星等一批重大科研军工项目的电子和计算配套;二是为新中国建立了一套横跨院所和高校的半导体人才培养体系!”

听到这里,李晓凡插话道:“照这样说的话,我们国内在六十年代的计算机水平并不落后啊?”

倪院士解释道:“在尖端的科研方面我们确实不落后,但落后的是整个产业化体系。”

“我还记得1977年我已经在计算机工作,当年7月,在人民大会堂召开了一个座谈会,我的前辈、我们国家半导体灵魂人物王守武院士在这个会议上发言说:我们全国共有600多家半导体生产工厂,但一年生产的集成电路总量,只等于日本一家大型工厂月产量的十分之一!王院士的这一句话非常形象,这句话把改开之前我们国内的半导体行业成就和家底,概括得八九不离十了……”

李晓凡惊道:“七十年代,我们全国就有600多家半导体生产工厂了啊?”

“是的,但这都是我们特殊国情下的产物。早年,由于西方国家的封锁,催生了我们国内独特的产学研模式:就是通过运动式的集中攻关方式,来突破某一项卡脖子技术。之前这种集中攻坚方式在不考虑成本和良率的军工科研领域内是有效的,如两弹一星,做出了巨大贡献!“

“但是这种集中攻关方式,成本高得惊人,在产业化和民用化方面,我们做得很差。集成电路学界领不少达到国际水平的成果,只具备展示和验收功能:一经专家评审会通过,就束之高阁生锈落灰,极少走向市场。所以,等到八十年代改革开放、国门打开之后,包括半导体在内的我们电子产业开始受到猛烈的外部冲击。大量国营电子企业开始经营困难,无法产生足够的利润来支撑研发,而从国外引进的生产线又大多是落后淘汰的二手货。所以在80年代,我们大陆的半导体行业不仅大幅落后于美日,也逐渐被韩国和台湾地区超过……”

李晓凡好奇道:“那我们就没有想办法追赶吗?”

“有!正是由于改革开放,我们领导走出国门,到发达国家考察之后,看到了我们国内集成电路芯片产业的落后,所以心急如焚!为解决这种情况,国内相关部委先后组织了三大战役,分别是1986年的531战略,1990年的908工程,和去年1995年的909工程!”

“531战略的成果是在全国多点开花建设了不少集成电路制造基地。从1986年到1995年,陆续诞生了无锡华晶、绍兴华越、上海贝岭、上海飞利浦、和首钢nec等五家集成电路公司,但是与西方发达国家的水平差距还是很大……“

“1990年启动的908工程,我们想在超大规模集成电路方面有所突破,项目由无锡华晶承担,芯片技术向美国朗讯购买,但目前的结果是:行政审批花了2年,技术引进花了3年,目前正建厂施工中,预计明年投产。当下908工程的无锡华晶项目还卡在0.8微米,

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